창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A1477M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B415x4, B435x4 | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 470µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 160V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | - | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | - | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | - | |
높이 - 장착(최대) | - | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 72 | |
다른 이름 | B43564A1477M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A1477M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A1477M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
12101U3R6BAT2A | 3.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U3R6BAT2A.pdf | ||
1808GA100JAT1A | 10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA100JAT1A.pdf | ||
450CJ | FUSE CRTRDGE 450A 600VAC/250VDC | 450CJ.pdf | ||
DSC1001DI2-022.0000T | 22MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DI2-022.0000T.pdf | ||
CDRH5D28RNP-820NC | 82µH Shielded Inductor 450mA 418.5 mOhm Max Nonstandard | CDRH5D28RNP-820NC.pdf | ||
LM759AH/883Q | LM759AH/883Q NSC CAN8 | LM759AH/883Q.pdf | ||
12V6A | 12V6A ORIGINAL SMD or Through Hole | 12V6A.pdf | ||
UT134E-5 | UT134E-5 UTC TO-126 | UT134E-5.pdf | ||
K4J52324QC-BJ1A | K4J52324QC-BJ1A SAMSUNG BGA | K4J52324QC-BJ1A.pdf | ||
SG61512000MHZ | SG61512000MHZ EPS SMD or Through Hole | SG61512000MHZ.pdf | ||
FKP1T002204B00KSSD | FKP1T002204B00KSSD WIMA SMD or Through Hole | FKP1T002204B00KSSD.pdf | ||
BESM18MI-PSC50B-BV03 | BESM18MI-PSC50B-BV03 BALLUFF PROXIMITYSWITCHM18 | BESM18MI-PSC50B-BV03.pdf |