창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A1109M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564, 84 | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 160V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | - | |
임피던스 | 26m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.232"(107.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 16 | |
다른 이름 | 495-3511 495-3511-ND 495-6127 B43564A1109M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A1109M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A1109M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | RDE5C2A122J0S1H03A | 1200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A122J0S1H03A.pdf | |
![]() | C3291-1.544 | 1.544MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | C3291-1.544.pdf | |
![]() | KTR25JZPF1801 | RES SMD 1.8K OHM 1% 1/3W 1210 | KTR25JZPF1801.pdf | |
![]() | MRS16000C5111FC100 | RES 5.11K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C5111FC100.pdf | |
![]() | CSTCC3M64G53-RO | CSTCC3M64G53-RO MURATA SMD2 | CSTCC3M64G53-RO.pdf | |
![]() | UPD789026GB-B05-8ES | UPD789026GB-B05-8ES NEC SMD or Through Hole | UPD789026GB-B05-8ES.pdf | |
![]() | SISM672 A1 | SISM672 A1 SIS BGA | SISM672 A1.pdf | |
![]() | XC3042-70PC | XC3042-70PC XC PLCC | XC3042-70PC.pdf | |
![]() | 612F/2 | 612F/2 EbmPapst SMD or Through Hole | 612F/2.pdf | |
![]() | DF1657ATE35V | DF1657ATE35V RENESAS SMD or Through Hole | DF1657ATE35V.pdf | |
![]() | T1IG | T1IG TI SOT23-5 | T1IG.pdf | |
![]() | PE-65400 | PE-65400 PULSE SMD or Through Hole | PE-65400.pdf |