창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43540F2687M62 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43540 Series | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Industry Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43540 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 680µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 250V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 2.87A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 120m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 160 | |
| 다른 이름 | B43540F2687M 62 B43540F2687M062 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43540F2687M62 | |
| 관련 링크 | B43540F2, B43540F2687M62 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | P2300ECMCL | SIDAC MC BI 190V 400A TO-92 | P2300ECMCL.pdf | |
![]() | DSC1001AI5-010.0000T | 10MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001AI5-010.0000T.pdf | |
![]() | PE-53611NLT | 383µH Unshielded Toroidal Inductor 720mA 862 mOhm Max Nonstandard | PE-53611NLT.pdf | |
![]() | AXK890225YG | AXK890225YG NAIS SMD or Through Hole | AXK890225YG.pdf | |
![]() | 818* | 818* ORIGINAL SOT-163 | 818*.pdf | |
![]() | 475K20BH-CT | 475K20BH-CT AVX SMD or Through Hole | 475K20BH-CT.pdf | |
![]() | TEESVB1V474M12R | TEESVB1V474M12R NEC SMD or Through Hole | TEESVB1V474M12R.pdf | |
![]() | LM4905MM/NOPB | LM4905MM/NOPB NS SMD or Through Hole | LM4905MM/NOPB.pdf | |
![]() | MG82380-16/Q | MG82380-16/Q INTEL PGA | MG82380-16/Q.pdf | |
![]() | HCE1N5807 | HCE1N5807 MICROSEMI SMD | HCE1N5807.pdf | |
![]() | TW9900(QFN32) | TW9900(QFN32) TW SMD or Through Hole | TW9900(QFN32).pdf |