창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43520B5108M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43520 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 110m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 5.06A @ 100Hz | |
임피던스 | 150m옴 | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 1.575" Dia(40.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 2.913"(74.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 5 리드 | |
표준 포장 | 33 | |
다른 이름 | 495-6298 B43520B5108M-ND B43520B5108M000 B43520B5108MS1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43520B5108M | |
관련 링크 | B43520B, B43520B5108M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
GRM21BR70J106ME76L | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR70J106ME76L.pdf | ||
GRM0225C1E9R1BDAEL | 9.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E9R1BDAEL.pdf | ||
SIT8008BI-13-33E-62.000000D | OSC XO 3.3V 62MHZ OE | SIT8008BI-13-33E-62.000000D.pdf | ||
DDZ6V2BS-7 | DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323 | DDZ6V2BS-7.pdf | ||
4309R-101-122 | RES ARRAY 8 RES 1.2K OHM 9SIP | 4309R-101-122.pdf | ||
HY62WT08081E-DP70I | HY62WT08081E-DP70I HYUNDAI SMD or Through Hole | HY62WT08081E-DP70I.pdf | ||
BYV34G-600 | BYV34G-600 NXP TO-262 | BYV34G-600.pdf | ||
TS3021ILT ST 51k | TS3021ILT ST 51k ST SMD or Through Hole | TS3021ILT ST 51k.pdf | ||
D361 | D361 MT SO-8 | D361.pdf | ||
1827258-1 | 1827258-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1827258-1.pdf | ||
RN5RZ26AATR | RN5RZ26AATR RICOH SMD or Through Hole | RN5RZ26AATR.pdf | ||
M50433B-508SP | M50433B-508SP ORIGINAL DIP | M50433B-508SP.pdf |