창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43511E5477M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43511,21 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43511 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 470µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 320m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.9A @ 100Hz | |
임피던스 | 340m옴 | |
리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
크기/치수 | 1.772" Dia(45.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 56 | |
다른 이름 | B43511E5477M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43511E5477M | |
관련 링크 | B43511E, B43511E5477M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
R6011625XXYA | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | R6011625XXYA.pdf | ||
DCS0502J | DCS0502J AELTA DIP | DCS0502J.pdf | ||
NCP690MN50T2G | NCP690MN50T2G ON SMD or Through Hole | NCP690MN50T2G.pdf | ||
VESD03A1C-HD1-V-GS08 | VESD03A1C-HD1-V-GS08 VISHAY SMD | VESD03A1C-HD1-V-GS08.pdf | ||
TL77050ACP | TL77050ACP ORIGINAL DIP8 | TL77050ACP.pdf | ||
SG51KH-39.500 | SG51KH-39.500 EPS SMD or Through Hole | SG51KH-39.500.pdf | ||
MHO16TDD37.500000MHZ | MHO16TDD37.500000MHZ MTRON SMD or Through Hole | MHO16TDD37.500000MHZ.pdf | ||
TT6P3-3450P2-35016 | TT6P3-3450P2-35016 Skyworks SMD or Through Hole | TT6P3-3450P2-35016.pdf | ||
AIO | AIO TI MSOP10 | AIO.pdf | ||
CS5201-1 | CS5201-1 Cherrysemiconductor SOT-263 | CS5201-1.pdf | ||
MB88515B-648K | MB88515B-648K F DIP | MB88515B-648K.pdf | ||
FFP08S60SNTU-SSD | FFP08S60SNTU-SSD Fairchild SMD or Through Hole | FFP08S60SNTU-SSD.pdf |