창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43511E108M7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43511,21 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43511 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 420V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 160m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 4.8A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 160m옴 | |
| 리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
| 크기/치수 | 1.772" Dia(45.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 2.441"(62.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 56 | |
| 다른 이름 | B43511E 108M 7 B43511E0108M007 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43511E108M7 | |
| 관련 링크 | B43511E, B43511E108M7 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0335C1E6R9CB01J | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E6R9CB01J.pdf | |
![]() | FVXO-HC73BR-77.5 | 77.5MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FVXO-HC73BR-77.5.pdf | |
![]() | MHQ0603P0N7CT000 | 0.7nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 70 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P0N7CT000.pdf | |
![]() | Y40786K45300V0L | RES 6.453KOHM 0.3W 0.005% RADIAL | Y40786K45300V0L.pdf | |
![]() | ESP6000600M | ESP6000600M ORIGINAL SMD or Through Hole | ESP6000600M.pdf | |
![]() | SGB-4533ZSR | SGB-4533ZSR RFMD QFN3X3 | SGB-4533ZSR.pdf | |
![]() | LEM2520T-1R8J | LEM2520T-1R8J TAIYO SMD or Through Hole | LEM2520T-1R8J.pdf | |
![]() | K3640 | K3640 KODENSHI DIPSOP | K3640.pdf | |
![]() | AMC120B | AMC120B ORIGINAL DIP-14 | AMC120B.pdf | |
![]() | SS210A-13-00-R0 | SS210A-13-00-R0 HY SMD or Through Hole | SS210A-13-00-R0.pdf | |
![]() | PEB20256E-V2.2G | PEB20256E-V2.2G INFINEON BGA | PEB20256E-V2.2G.pdf | |
![]() | KM416S4030BT-GLTQ | KM416S4030BT-GLTQ SAMSUNG SMD or Through Hole | KM416S4030BT-GLTQ.pdf |