창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43511C5477M7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43511,21 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43511 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 470µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 450V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 320m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.1A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 340m옴 | |
| 리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 2.441"(62.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 66 | |
| 다른 이름 | B43511C5477M 7 B43511C5477M007 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43511C5477M7 | |
| 관련 링크 | B43511C, B43511C5477M7 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
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![]() | WSI57C291B-45 | WSI57C291B-45 WSI CDIP24 | WSI57C291B-45.pdf | |
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![]() | AM4TW-4805S-NZ | AM4TW-4805S-NZ MORNSUN SMD or Through Hole | AM4TW-4805S-NZ.pdf | |
![]() | M29W320DT-90N6E | M29W320DT-90N6E ST TSOP | M29W320DT-90N6E.pdf | |
![]() | ADM812TART-RL7 TEL:82766440 | ADM812TART-RL7 TEL:82766440 ADI SOT143 | ADM812TART-RL7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | ERG77-08 | ERG77-08 FUJITSU SMD or Through Hole | ERG77-08.pdf | |
![]() | HYMD512646DP8J-D43-C (DDR1/ 1G/ 400/ LON | HYMD512646DP8J-D43-C (DDR1/ 1G/ 400/ LON Hynix SMD or Through Hole | HYMD512646DP8J-D43-C (DDR1/ 1G/ 400/ LON.pdf |