창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43510B3188M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43510,20 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43510 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1800µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 385V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 40m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 6.8A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 50m옴 | |
| 리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.575" Dia(40.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 3.630"(92.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 56 | |
| 다른 이름 | B43510B3188M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43510B3188M80 | |
| 관련 링크 | B43510B3, B43510B3188M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | RCP0603W100RGS6 | RES SMD 100 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W100RGS6.pdf | |
![]() | 1.8nH (ELJRF 1N8 DF) | 1.8nH (ELJRF 1N8 DF) INFNEON SMD or Through Hole | 1.8nH (ELJRF 1N8 DF).pdf | |
![]() | 1N3010RA | 1N3010RA Microsemi DO-4 | 1N3010RA.pdf | |
![]() | 74S63N | 74S63N NS DIP | 74S63N.pdf | |
![]() | TN0001 | TN0001 TINA QFP48 | TN0001.pdf | |
![]() | S524A40X21-SC7 | S524A40X21-SC7 SAMSUNG SOP8 | S524A40X21-SC7.pdf | |
![]() | PF38F3040M0Y3DF MO | PF38F3040M0Y3DF MO NUMONYX BGA | PF38F3040M0Y3DF MO.pdf | |
![]() | MB84256A-10 | MB84256A-10 SO SMD or Through Hole | MB84256A-10.pdf | |
![]() | 74ACT18825 | 74ACT18825 FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74ACT18825.pdf | |
![]() | STRD1606E | STRD1606E SK DIP | STRD1606E.pdf | |
![]() | BS62LV1600EC55 | BS62LV1600EC55 BSI TSOP44 | BS62LV1600EC55.pdf | |
![]() | STBK582 | STBK582 EIC SMC | STBK582.pdf |