창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43510A5128M7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43510 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 90m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 5.84A @ 100Hz | |
임피던스 | 130m옴 | |
리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.016"(102.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 66 | |
다른 이름 | B43510A5128M 7 B43510A5128M007 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43510A5128M7 | |
관련 링크 | B43510A, B43510A5128M7 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
VJ0805D101JLAAR | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101JLAAR.pdf | ||
ESDA6V1U1RL | TVS DIODE 5VWM 8SOIC | ESDA6V1U1RL.pdf | ||
TFPT1206L2200JV | PTC Thermistor 220 Ohm 1206 (3216 Metric) | TFPT1206L2200JV.pdf | ||
7MBP100JBJ060 | 7MBP100JBJ060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBP100JBJ060.pdf | ||
MSM5118160D-60J | MSM5118160D-60J OKI SOJ42 | MSM5118160D-60J.pdf | ||
CA1458 | CA1458 N/A DIP | CA1458.pdf | ||
G6B-1114P-US5A/250VAC24VDC | G6B-1114P-US5A/250VAC24VDC OMRON SMD or Through Hole | G6B-1114P-US5A/250VAC24VDC.pdf | ||
LT6604CUFF-2.5#TRPBF/IU | LT6604CUFF-2.5#TRPBF/IU ORIGINAL QFN | LT6604CUFF-2.5#TRPBF/IU.pdf | ||
EP2C15F484C6N | EP2C15F484C6N ALTERA BGA | EP2C15F484C6N.pdf | ||
HA13736FEB-E(ZZ05) | HA13736FEB-E(ZZ05) RENESAS QFP40 | HA13736FEB-E(ZZ05).pdf | ||
3N80A | 3N80A ORIGINAL TO-220 | 3N80A.pdf | ||
AP88N30W | AP88N30W ORIGINAL TO-3P | AP88N30W.pdf |