창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43504G2158M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43504 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43504 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 200V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.4A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 120m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 120 | |
| 다른 이름 | B43504G2158M2 B43504G2158M0002 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43504G2158M2 | |
| 관련 링크 | B43504G, B43504G2158M2 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | 445W3XG16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XG16M00000.pdf | |
![]() | 1N4007G-T | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | 1N4007G-T.pdf | |
![]() | EXB-V8V243JV | RES ARRAY 4 RES 24K OHM 1206 | EXB-V8V243JV.pdf | |
![]() | S637T | S637T ORIGINAL TO-3PN | S637T.pdf | |
![]() | 2512 1R J | 2512 1R J ZTJ 2512 | 2512 1R J.pdf | |
![]() | LM188N LM188SMD | LM188N LM188SMD LM DIP | LM188N LM188SMD.pdf | |
![]() | FTR-C1CA4.5G-SH | FTR-C1CA4.5G-SH FCL N A | FTR-C1CA4.5G-SH.pdf | |
![]() | FDB9SIDC | FDB9SIDC ORIGINAL TO-263 | FDB9SIDC.pdf | |
![]() | 74LS145T | 74LS145T NXP/TI/ST SOP | 74LS145T.pdf | |
![]() | IMX1T110 X1 | IMX1T110 X1 ROHM SOT23-6 | IMX1T110 X1.pdf | |
![]() | CDH73-121KC | CDH73-121KC sumida SMD or Through Hole | CDH73-121KC.pdf | |
![]() | D44165362F5-E60-EQ1 | D44165362F5-E60-EQ1 ORIGINAL BGA | D44165362F5-E60-EQ1.pdf |