창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43504E227M62 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43504 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43504 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 220µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 420V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 610m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.12A @ 100Hz | |
임피던스 | 730m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.465"(37.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
표준 포장 | 160 | |
다른 이름 | B43504E 227M 62 B43504E0227M062 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43504E227M62 | |
관련 링크 | B43504E, B43504E227M62 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | RMCF2512JT3R90 | RES SMD 3.9 OHM 5% 1W 2512 | RMCF2512JT3R90.pdf | |
![]() | HCT534 | HCT534 ORIGINAL SMD20 | HCT534.pdf | |
![]() | LST676-R2S2-1-Z | LST676-R2S2-1-Z OSRAMOPTO SMD DIP | LST676-R2S2-1-Z.pdf | |
![]() | K6R1008V1C-TI12000 | K6R1008V1C-TI12000 SAMSUNG TSOP | K6R1008V1C-TI12000.pdf | |
![]() | TC51C1000ASJL-70 | TC51C1000ASJL-70 TOSHIBA SOP | TC51C1000ASJL-70.pdf | |
![]() | X9C102S. | X9C102S. XICRO SOP-8 | X9C102S..pdf | |
![]() | RSF2WSJR-73-330R | RSF2WSJR-73-330R YAGEO SMD or Through Hole | RSF2WSJR-73-330R.pdf | |
![]() | D65013GFU01 | D65013GFU01 NEC QFP80 | D65013GFU01.pdf | |
![]() | MCR10EZHEF2740 | MCR10EZHEF2740 ROHM SMD or Through Hole | MCR10EZHEF2740.pdf | |
![]() | SS1A686M05007 | SS1A686M05007 SAMWHA SMD or Through Hole | SS1A686M05007.pdf | |
![]() | PNX7860E/G/M1,557 | PNX7860E/G/M1,557 NXP LINEAR IC | PNX7860E/G/M1,557.pdf |