창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43504B5107M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43504 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43504 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 100µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 450V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 1.35옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 650mA @ 100Hz | |
| 임피던스 | 1.6옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.984" Dia(25.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.260"(32.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 130 | |
| 다른 이름 | 495-6253 B43504B5107M-ND B43504B5107M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43504B5107M | |
| 관련 링크 | B43504B, B43504B5107M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C0G1E9R1C030BG | 9.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E9R1C030BG.pdf | |
![]() | VJ0805D301MLBAT | 300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D301MLBAT.pdf | |
![]() | VJ1812A150JBCAT4X | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A150JBCAT4X.pdf | |
![]() | CMF601K7400FKEB | RES 1.74K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K7400FKEB.pdf | |
![]() | LR350D52(T1) | LR350D52(T1) SHARP SMD or Through Hole | LR350D52(T1).pdf | |
![]() | TA0390A | TA0390A TST SMD | TA0390A.pdf | |
![]() | SD509 | SD509 ORIGINAL QFP | SD509.pdf | |
![]() | TH50VPF5585ADSB(USED) | TH50VPF5585ADSB(USED) TOSHIBA SMD or Through Hole | TH50VPF5585ADSB(USED).pdf | |
![]() | 251.250AT1L | 251.250AT1L LITTELFUSE SMD or Through Hole | 251.250AT1L.pdf | |
![]() | QG82LPP | QG82LPP INTEL BGA | QG82LPP.pdf | |
![]() | PIC12LF1822-I/SN | PIC12LF1822-I/SN Microchip 8SOIC | PIC12LF1822-I/SN.pdf | |
![]() | TH170A | TH170A ORIGINAL QFN | TH170A.pdf |