창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43504A2158M82 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43504 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43504 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 250V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.66A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 120m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 2.055"(52.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 120 | |
| 다른 이름 | B43504A2158M 82 B43504A2158M082 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43504A2158M82 | |
| 관련 링크 | B43504A2, B43504A2158M82 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | C1608C0G1H152J080AA | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H152J080AA.pdf | |
![]() | C0603X102K5HACAUTO | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603X102K5HACAUTO.pdf | |
![]() | 5GU470JEFCANM | 47pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | 5GU470JEFCANM.pdf | |
![]() | MA-506 8.0000M-C3: PURE SN | 8MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 8.0000M-C3: PURE SN.pdf | |
![]() | 9400-04Q2777 | RELAY GEN PURP SPDT 24V | 9400-04Q2777.pdf | |
![]() | MCR10ERTF5600 | RES SMD 560 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF5600.pdf | |
![]() | HU2F477M35040 | HU2F477M35040 SAMW DIP2 | HU2F477M35040.pdf | |
![]() | 73K321L-IH. | 73K321L-IH. ORIGINAL SMD or Through Hole | 73K321L-IH..pdf | |
![]() | SD-1624G(09) | SD-1624G(09) HIROSE SMD or Through Hole | SD-1624G(09).pdf | |
![]() | TC55V1001F-70 | TC55V1001F-70 TOSHIBA SOP-32 | TC55V1001F-70.pdf | |
![]() | PMB2447H | PMB2447H infineon QFP-100 | PMB2447H.pdf |