창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501F2108M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.93A @ 100Hz | |
임피던스 | 130m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 80 | |
다른 이름 | 495-6321 B43501F2108M-ND B43501F2108M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43501F2108M | |
관련 링크 | B43501F, B43501F2108M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
GBU10J | DIODE BRIDGE 600V 10A GBU | GBU10J.pdf | ||
CRGV2010F7M68 | RES SMD 7.68M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F7M68.pdf | ||
GS1A/M7 | GS1A/M7 GW DO-214AC | GS1A/M7.pdf | ||
P5DU-0524ELF | P5DU-0524ELF PEAK DIP14 | P5DU-0524ELF.pdf | ||
ICX224AK-B | ICX224AK-B SONY DIP-20 | ICX224AK-B.pdf | ||
ADG714ARU | ADG714ARU ADI TSSOP | ADG714ARU.pdf | ||
CM05X5R105K16AH | CM05X5R105K16AH KYOCERA SMD or Through Hole | CM05X5R105K16AH.pdf | ||
IFC0603ER1N8J | IFC0603ER1N8J VISHAY SMD or Through Hole | IFC0603ER1N8J.pdf | ||
CR43-100 | CR43-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | CR43-100.pdf | ||
BA7660 | BA7660 ROHM SS0P-16 | BA7660.pdf | ||
LM3S1607-IQR50 | LM3S1607-IQR50 TI LQFP-64 | LM3S1607-IQR50.pdf | ||
ADSST-200BRUZ-RL7 | ADSST-200BRUZ-RL7 AnalogDevicesInc SMD or Through Hole | ADSST-200BRUZ-RL7.pdf |