창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501B9477M62 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 470µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 400V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 140m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.44A @ 100Hz | |
임피던스 | 230m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 2.047"(52.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
표준 포장 | 160 | |
다른 이름 | B43501B9477M 62 B43501B9477M062 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43501B9477M62 | |
관련 링크 | B43501B9, B43501B9477M62 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
CGA2B2X7R1H102M050BA | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X7R1H102M050BA.pdf | ||
407F35D029M4912 | 29.4912MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F35D029M4912.pdf | ||
2317-V-RC | 270µH Unshielded Toroidal Inductor 5.5A 60 mOhm Max Radial | 2317-V-RC.pdf | ||
BRC2518T150M | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 430 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | BRC2518T150M.pdf | ||
FODM452R2V | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 5-Mini-Flat | FODM452R2V.pdf | ||
ERJ-S1DF1333U | RES SMD 133K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1333U.pdf | ||
CMF075R1000JLBF | RES 5.1 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF075R1000JLBF.pdf | ||
IPW90R120C | IPW90R120C ORIGINAL TO-3P | IPW90R120C.pdf | ||
MD-3013 | MD-3013 SK ZIP | MD-3013.pdf | ||
HIP6017EVAL1 | HIP6017EVAL1 HAR Call | HIP6017EVAL1.pdf | ||
LAO-100V102MPDS2 | LAO-100V102MPDS2 ELNA DIP | LAO-100V102MPDS2.pdf |