창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43501A9686M82 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43501 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43501 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 68µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 400V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 980m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 610mA @ 100Hz | |
| 임피던스 | 1.56옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
| 표준 포장 | 320 | |
| 다른 이름 | B43501A9686M 82 B43501A9686M082 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43501A9686M82 | |
| 관련 링크 | B43501A9, B43501A9686M82 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D6R2DXCAC | 6.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R2DXCAC.pdf | |
![]() | RC0402FR-0717R8L | RES SMD 17.8 OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-0717R8L.pdf | |
![]() | ERA-8AEB621V | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB621V.pdf | |
![]() | RSF100JB-73-30K | RES 30K OHM 1W 5% AXIAL | RSF100JB-73-30K.pdf | |
![]() | B39121133864H510 | B39121133864H510 EPCOS SMD or Through Hole | B39121133864H510.pdf | |
![]() | BS3P-SHF-1AA | BS3P-SHF-1AA JST SMD or Through Hole | BS3P-SHF-1AA.pdf | |
![]() | 105W5R562K25AT | 105W5R562K25AT KYOCERA SMD | 105W5R562K25AT.pdf | |
![]() | DM74ALS137M | DM74ALS137M NS SOP-3.9 | DM74ALS137M.pdf | |
![]() | PEB20960CTAT-P | PEB20960CTAT-P Infineon QFP44-1010 | PEB20960CTAT-P.pdf | |
![]() | XC4VSX35-11FFG668 | XC4VSX35-11FFG668 N/A BGA | XC4VSX35-11FFG668.pdf | |
![]() | TO-5050BY-3MWM-DY003 | TO-5050BY-3MWM-DY003 OASIS ROHS | TO-5050BY-3MWM-DY003.pdf | |
![]() | MIG15Q904H | MIG15Q904H TOSHIBA SMD or Through Hole | MIG15Q904H.pdf |