창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501A3567M80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 560µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 385V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 120m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.82A @ 100Hz | |
임피던스 | 190m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.850"(47.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 120 | |
다른 이름 | B43501A3567M 80 B43501A3567M080 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43501A3567M80 | |
관련 링크 | B43501A3, B43501A3567M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 250R05L330KV4T | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L330KV4T.pdf | |
![]() | VJ1210A750JBRAT4X | 75pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A750JBRAT4X.pdf | |
![]() | HCMA1305-4R7-R | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 12A 12.7 mOhm Max Nonstandard | HCMA1305-4R7-R.pdf | |
![]() | IXP460 218S4RBSA12 | IXP460 218S4RBSA12 ORIGINAL SMD or Through Hole | IXP460 218S4RBSA12.pdf | |
![]() | CL05F334ZP5 | CL05F334ZP5 SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05F334ZP5.pdf | |
![]() | XC2V2000-4C/BF957 | XC2V2000-4C/BF957 XILINX BGA | XC2V2000-4C/BF957.pdf | |
![]() | BQ24120RHLTG4 | BQ24120RHLTG4 TI ICSM | BQ24120RHLTG4.pdf | |
![]() | TNED6062PGN | TNED6062PGN TI SSOP | TNED6062PGN.pdf | |
![]() | 33E | 33E ORIGINAL SOP | 33E.pdf | |
![]() | DIFS4 | DIFS4 ORIGINAL SMD or Through Hole | DIFS4.pdf | |
![]() | MCR50JZHJR22 | MCR50JZHJR22 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCR50JZHJR22.pdf | |
![]() | PS7122-2 | PS7122-2 NEC DIP8 | PS7122-2.pdf |