창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43501A3107M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43501 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43501 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 100µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 385V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 660m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 790mA @ 100Hz | |
| 임피던스 | 1.06옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.260"(32.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 320 | |
| 다른 이름 | B43501A3107M 80 B43501A3107M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43501A3107M80 | |
| 관련 링크 | B43501A3, B43501A3107M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-1210-43NJ-T | 43nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 120 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-43NJ-T.pdf | |
![]() | 10535-5140-01HFMGA | 10535-5140-01HFMGA HARRIS TQFP-100 | 10535-5140-01HFMGA.pdf | |
![]() | BFG10W/X(XHZ) | BFG10W/X(XHZ) NXP SOT343 | BFG10W/X(XHZ).pdf | |
![]() | SCDS104R-221M-N | SCDS104R-221M-N CHILISINELECTRONIC SMD | SCDS104R-221M-N.pdf | |
![]() | S80C154-25R | S80C154-25R TOSHIBA PLCC | S80C154-25R.pdf | |
![]() | AEKQ | AEKQ ORIGINAL 8SOT-23 | AEKQ.pdf | |
![]() | PKES70B1/4 | PKES70B1/4 ORIGINAL NEW | PKES70B1/4.pdf | |
![]() | HP32E102MRZ | HP32E102MRZ HITACHI DIP | HP32E102MRZ.pdf | |
![]() | C807U-1G78 | C807U-1G78 TOSHIBA QFP | C807U-1G78.pdf | |
![]() | MID | MID ORIGINAL DIP | MID.pdf | |
![]() | BMC0603HF-6N8K | BMC0603HF-6N8K BOURNS SMD | BMC0603HF-6N8K.pdf | |
![]() | XMT5170B155 | XMT5170B155 hp SMD or Through Hole | XMT5170B155.pdf |