창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43458A4189M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43456,58 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43458 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 18000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 350V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 5m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | - | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 38A @ 100Hz | |
임피던스 | 7m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.583" Dia(91.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.740"(222.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 18 | |
다른 이름 | B43458A4189M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43458A4189M | |
관련 링크 | B43458A, B43458A4189M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | SMCG6059/TR13 | TVS DIODE 55VWM 98VC DO215AB | SMCG6059/TR13.pdf | |
![]() | HSA5150RJ | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 10W | HSA5150RJ.pdf | |
![]() | TNPW121084R5BETA | RES SMD 84.5 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121084R5BETA.pdf | |
![]() | NOIP1SN1300A-QDI | CMOS with Processor Image Sensor 1280H x 1024V 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22) | NOIP1SN1300A-QDI.pdf | |
![]() | LE79252BTCJ | LE79252BTCJ LE QFP | LE79252BTCJ.pdf | |
![]() | PM73SH-181M-RC | PM73SH-181M-RC BOURNS SMD | PM73SH-181M-RC.pdf | |
![]() | SFW15R-1STE1 | SFW15R-1STE1 FCI SMD or Through Hole | SFW15R-1STE1.pdf | |
![]() | ELXV630ESS821ML35S | ELXV630ESS821ML35S NIPPON DIP | ELXV630ESS821ML35S.pdf | |
![]() | 65039-036LF | 65039-036LF PCI/WSI SMD or Through Hole | 65039-036LF.pdf | |
![]() | 5179230-5 | 5179230-5 TE/Tyco/AMP Connector | 5179230-5.pdf | |
![]() | MQE963-260-T7 | MQE963-260-T7 MURATA SMD or Through Hole | MQE963-260-T7.pdf | |
![]() | 101S43N103FV | 101S43N103FV JOHANSON SMD or Through Hole | 101S43N103FV.pdf |