창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43457B5108M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43455,57 Series Standard | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43457 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | - | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.874"(22.20mm) | |
크기/치수 | 2.032" Dia(51.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.177"(80.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 72 | |
다른 이름 | B43457B5108M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43457B5108M | |
관련 링크 | B43457B, B43457B5108M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808A300KBFAT4X | 30pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A300KBFAT4X.pdf | |
![]() | MAX2602ESA | TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC | MAX2602ESA.pdf | |
![]() | CURV#PBF | CURV#PBF LT SMD or Through Hole | CURV#PBF.pdf | |
![]() | BSM150GAL120DN2DLC | BSM150GAL120DN2DLC EUPEC 150A 1200V 4U | BSM150GAL120DN2DLC.pdf | |
![]() | MMSZ5234B7 | MMSZ5234B7 GENERALSEMICONDUCTOR ORIGINAL | MMSZ5234B7.pdf | |
![]() | TBJD155K050LRLB9H00 | TBJD155K050LRLB9H00 AVX SMD | TBJD155K050LRLB9H00.pdf | |
![]() | TXDA2 | TXDA2 KASUGAS SMD or Through Hole | TXDA2.pdf | |
![]() | MIM-5563H4 | MIM-5563H4 UNI SMD or Through Hole | MIM-5563H4.pdf | |
![]() | KSC441J 70SH LFS | KSC441J 70SH LFS C&K SMD or Through Hole | KSC441J 70SH LFS.pdf | |
![]() | 6RI100G-120 B | 6RI100G-120 B FUJI SMD or Through Hole | 6RI100G-120 B.pdf | |
![]() | K4A60D | K4A60D TOSHOBA TO-220F | K4A60D.pdf | |
![]() | BTW47-400 | BTW47-400 PH TO-208 | BTW47-400.pdf |