창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43305B2228M80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43305 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43305 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 2200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 60m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 3.68A @ 100Hz | |
임피던스 | 80m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 120 | |
다른 이름 | B43305B2228M 80 B43305B2228M080 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43305B2228M80 | |
관련 링크 | B43305B2, B43305B2228M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | DZN-2R5D704G4T | 700mF Supercap 2.5V Radial, Can 200 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.315" Dia (8.00mm) | DZN-2R5D704G4T.pdf | |
![]() | 416F25033ALR | 25MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25033ALR.pdf | |
![]() | NLV32T-1R5J-EF | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-1R5J-EF.pdf | |
![]() | RT1206FRE0763R4L | RES SMD 63.4 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE0763R4L.pdf | |
![]() | NLK3582SSI | NLK3582SSI NEL SMD or Through Hole | NLK3582SSI.pdf | |
![]() | K4D263238E-GC2A/-GC25 | K4D263238E-GC2A/-GC25 ORIGINAL SMD or Through Hole | K4D263238E-GC2A/-GC25.pdf | |
![]() | LVC573 | LVC573 ORIGINAL TSSOP20 | LVC573.pdf | |
![]() | 500R18N681JV | 500R18N681JV JOHANSON SMD or Through Hole | 500R18N681JV.pdf | |
![]() | TM200DZ-H PDT2008 | TM200DZ-H PDT2008 MITSUBISHINIEC SMD or Through Hole | TM200DZ-H PDT2008.pdf | |
![]() | NVA3-350TT | NVA3-350TT TDK-Lambda SMD or Through Hole | NVA3-350TT.pdf | |
![]() | 589326R | 589326R ADI CDIP16 | 589326R.pdf | |
![]() | STRZ-4151A | STRZ-4151A SK ZIP | STRZ-4151A.pdf |