창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43252A6157M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41252, B43252 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43252 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 150µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 500V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 610mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.850"(47.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 160 | |
다른 이름 | B43252A6157M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43252A6157M | |
관련 링크 | B43252A, B43252A6157M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
ATS10ASM-1E | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS10ASM-1E.pdf | ||
TD-8.000MDD-T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TD-8.000MDD-T.pdf | ||
DC1390R-105K | 1mH Unshielded Inductor 3.32A 216 mOhm Max Radial | DC1390R-105K.pdf | ||
TEESVA1A475M8R | TEESVA1A475M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVA1A475M8R.pdf | ||
4481782 | 4481782 ORIGINAL CWDIP | 4481782.pdf | ||
XCV400E-6FG676 | XCV400E-6FG676 XILINX BGA | XCV400E-6FG676.pdf | ||
EMC6700EH | EMC6700EH PHI DIP | EMC6700EH.pdf | ||
EE80C196KC20(NEW+PLCC-68) | EE80C196KC20(NEW+PLCC-68) intel PLCC-68 | EE80C196KC20(NEW+PLCC-68).pdf | ||
G2R-1-E DC5V | G2R-1-E DC5V OMRON SMD or Through Hole | G2R-1-E DC5V.pdf | ||
SD7401SM | SD7401SM SL SOP | SD7401SM.pdf | ||
PVO402S-T | PVO402S-T IOR SOP8 | PVO402S-T.pdf | ||
D7OF3273YGC | D7OF3273YGC NEC SMD or Through Hole | D7OF3273YGC.pdf |