창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43231B2687M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41231, B43231 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43231 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 680µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.48A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.000" Dia(25.40mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 260 | |
다른 이름 | B43231B2687M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43231B2687M | |
관련 링크 | B43231B, B43231B2687M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | R6004CNDTL | MOSFET N-CH 600V 4A CPT | R6004CNDTL.pdf | |
![]() | RCWL2010R360JNEA | RES SMD 0.36 OHM 5% 1/2W 2010 | RCWL2010R360JNEA.pdf | |
![]() | RG3216V-2002-B-T5 | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2002-B-T5.pdf | |
![]() | Y1625808R000Q23R | RES SMD 808 OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y1625808R000Q23R.pdf | |
![]() | CXK77B3640AG13-38 | CXK77B3640AG13-38 SONY QFP | CXK77B3640AG13-38.pdf | |
![]() | YC158TJR-07 1.5KL | YC158TJR-07 1.5KL YAGEO SMD or Through Hole | YC158TJR-07 1.5KL.pdf | |
![]() | STB1557T4 | STB1557T4 ON SMD or Through Hole | STB1557T4.pdf | |
![]() | C1005C0G1H2R7CT000N | C1005C0G1H2R7CT000N TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1H2R7CT000N.pdf | |
![]() | RH80532GC021512 SL5YT | RH80532GC021512 SL5YT INTEL SMD or Through Hole | RH80532GC021512 SL5YT.pdf | |
![]() | B3B-XH-2(LF)(SN) | B3B-XH-2(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B3B-XH-2(LF)(SN).pdf | |
![]() | KQ0805TE68NJ | KQ0805TE68NJ KOA 0805-68N | KQ0805TE68NJ.pdf | |
![]() | CNA30C470M-TM | CNA30C470M-TM MARUWA 4kreel | CNA30C470M-TM.pdf |