창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41858C3278M8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41858 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41858 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 2700µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 10V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 41m옴 @ 10kHz | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 리플 전류 | 2.028A @ 100kHz | |
| 임피던스 | 34m옴 | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.492" Dia(12.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | B41858C3278M008 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41858C3278M8 | |
| 관련 링크 | B41858C, B41858C3278M8 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | SU9VD-10020 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole | SU9VD-10020.pdf | |
![]() | AT0603DRD0766R5L | RES SMD 66.5 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD0766R5L.pdf | |
![]() | RG3216N-4992-W-T1 | RES SMD 49.9KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-4992-W-T1.pdf | |
![]() | LAO-25V332MPDS3 | LAO-25V332MPDS3 ELNA DIP | LAO-25V332MPDS3.pdf | |
![]() | 28C64A-25I/L | 28C64A-25I/L MICROCHIP PLCC32 | 28C64A-25I/L.pdf | |
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![]() | 1SS370(TE85LF) | 1SS370(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS370(TE85LF).pdf | |
![]() | 216YBFCGA16FH (Mobility T2) | 216YBFCGA16FH (Mobility T2) ATi BGA | 216YBFCGA16FH (Mobility T2).pdf | |
![]() | TLE2022MDR | TLE2022MDR TI SOP-8 | TLE2022MDR.pdf | |
![]() | DB1S650C | DB1S650C DB SMD or Through Hole | DB1S650C.pdf | |
![]() | 194D336X9006F2 | 194D336X9006F2 Vishay SMD | 194D336X9006F2.pdf | |
![]() | WE67055 | WE67055 LSI PLCC84 | WE67055.pdf |