창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41858C3188M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41858 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41858 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1800µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 73m옴 @ 10kHz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 자동차 | |
리플 전류 | 1.202A @ 100kHz | |
임피던스 | 62m옴 | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
크기/치수 | 0.394" Dia(10.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.866"(22.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | B41858C3188M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41858C3188M | |
관련 링크 | B41858C, B41858C3188M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | BZT52B51-G3-18 | DIODE ZENER 51V 410MW SOD123 | BZT52B51-G3-18.pdf | |
![]() | H844R2BZA | RES 44.2 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H844R2BZA.pdf | |
![]() | 10H593DM | 10H593DM N/A CDIP | 10H593DM.pdf | |
![]() | UG3Y102P0811A | UG3Y102P0811A ORIGINAL SMD or Through Hole | UG3Y102P0811A.pdf | |
![]() | IE0312S | IE0312S XP SIP-4 | IE0312S.pdf | |
![]() | UDZTE1751B | UDZTE1751B ROHM SMD or Through Hole | UDZTE1751B.pdf | |
![]() | M1570N | M1570N MOT SMD or Through Hole | M1570N.pdf | |
![]() | BLM15HG601SN1B | BLM15HG601SN1B MURATA SMD or Through Hole | BLM15HG601SN1B.pdf | |
![]() | CA45A B 33UF 6.3V M | CA45A B 33UF 6.3V M TASUND SMD or Through Hole | CA45A B 33UF 6.3V M.pdf | |
![]() | SD541 TB256 | SD541 TB256 HUAWEI SMD or Through Hole | SD541 TB256.pdf | |
![]() | IA4330 | IA4330 SILICON SMD or Through Hole | IA4330.pdf | |
![]() | VG039NCHXTB501(500Ω) | VG039NCHXTB501(500Ω) HDK/ SMD or Through Hole | VG039NCHXTB501(500Ω).pdf |