창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41580A7479M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41560,80 Series | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41580 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 47000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 40V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 10m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 14A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 10m옴 | |
| 리드 간격 | 0.874"(22.20mm) | |
| 크기/치수 | 2.032" Dia(51.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 72 | |
| 다른 이름 | B41580A7479M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41580A7479M | |
| 관련 링크 | B41580A, B41580A7479M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | TPSE107K020R0150 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 150 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSE107K020R0150.pdf | |
![]() | BZV85-C3V6,113 | DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41 | BZV85-C3V6,113.pdf | |
![]() | Y11697K12300T9R | RES SMD 7.123K OHM 0.6W 3017 | Y11697K12300T9R.pdf | |
![]() | CAT1025SI | CAT1025SI CATALYST SOP8 | CAT1025SI.pdf | |
![]() | 5977CQJ | 5977CQJ ON DIP8 | 5977CQJ.pdf | |
![]() | LM293ADRE4 | LM293ADRE4 TI SOIC-8 | LM293ADRE4.pdf | |
![]() | AK8855VGP | AK8855VGP AKM SMD or Through Hole | AK8855VGP.pdf | |
![]() | G50204SNG-1 | G50204SNG-1 MAGTEKTECHNOLOGY SMD or Through Hole | G50204SNG-1.pdf | |
![]() | EB88CTGM-QR32 | EB88CTGM-QR32 INTEL BGA | EB88CTGM-QR32.pdf | |
![]() | DEBF33A472ZN2A | DEBF33A472ZN2A MURATA DIP | DEBF33A472ZN2A.pdf | |
![]() | FCN-217J030-G/0 | FCN-217J030-G/0 FujitsuComponents NA | FCN-217J030-G/0.pdf | |
![]() | MC1H474M04005 | MC1H474M04005 SAMWHA SMD or Through Hole | MC1H474M04005.pdf |