창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41570E5159Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41550,70 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41570 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 15000µF | |
허용 오차 | -10%, +30% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 24m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(105°C) | |
작동 온도 | - | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 9.4A @ 100Hz | |
임피던스 | 17m옴 | |
리드 간격 | 0.500"(12.70mm) | |
크기/치수 | 1.406" Dia(35.70mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.217"(81.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 72 | |
다른 이름 | B41570E5159Q000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41570E5159Q | |
관련 링크 | B41570E, B41570E5159Q 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | CRM2512-JX-R200ELF | RES SMD 0.2 OHM 5% 2W 2512 | CRM2512-JX-R200ELF.pdf | |
![]() | CMF5526K100FEEA | RES 26.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5526K100FEEA.pdf | |
![]() | 600612 | RFID Tag Read/Write 512b (User) Memory 860MHz ~ 960MHz ISO 18000-6, EPC Inlay | 600612.pdf | |
![]() | XC61FC2212MRN | XC61FC2212MRN TOREX SOT23 3 | XC61FC2212MRN.pdf | |
![]() | T83-A350X EPCOS 5000 | T83-A350X EPCOS 5000 epcos SMD or Through Hole | T83-A350X EPCOS 5000.pdf | |
![]() | CYP15G0401DX-BGA | CYP15G0401DX-BGA CYPRESS BGA | CYP15G0401DX-BGA.pdf | |
![]() | 666163.680/R | 666163.680/R MISTRAL SMD or Through Hole | 666163.680/R.pdf | |
![]() | SAA9874AH | SAA9874AH SAA QFP | SAA9874AH.pdf | |
![]() | STK730-080 TW | STK730-080 TW SANYO IC | STK730-080 TW.pdf | |
![]() | K102J15COGF53L2 | K102J15COGF53L2 vishay INSTOCKPACK1000 | K102J15COGF53L2.pdf | |
![]() | QSS-100-01-F-D-RA-WT | QSS-100-01-F-D-RA-WT ORIGINAL SMD or Through Hole | QSS-100-01-F-D-RA-WT.pdf | |
![]() | TPCT4203(TE12L | TPCT4203(TE12L TOSHIBA SMD or Through Hole | TPCT4203(TE12L.pdf |