창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41570A9229Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41550,70 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41570 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 22000µF | |
허용 오차 | -10%, +30% | |
정격 전압 | 100V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 11m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 20000시간(105°C) | |
작동 온도 | - | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 19A @ 100Hz | |
임피던스 | 9m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 16 | |
다른 이름 | 495-6376 B41570A9229Q-ND B41570A9229Q000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41570A9229Q | |
관련 링크 | B41570A, B41570A9229Q 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
2057-07-BT1LF | GDT 75V 20% 5KA THROUGH HOLE | 2057-07-BT1LF.pdf | ||
FXO-HC735R-80 | 80MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC735R-80.pdf | ||
IPA65R400CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | IPA65R400CEXKSA1.pdf | ||
1331-121K | 120nH Shielded Inductor 635mA 110 mOhm Max Nonstandard | 1331-121K.pdf | ||
AT0402DRE0719R1L | RES SMD 19.1 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0719R1L.pdf | ||
CMF6561R900BHR6 | RES 61.9 OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF6561R900BHR6.pdf | ||
E2SQ23UG100 | Inductive Proximity Sensor 0.098" (2.5mm) IP67 Module | E2SQ23UG100.pdf | ||
ADS7805UE4 | ADS7805UE4 TI/BB DIP-28 | ADS7805UE4.pdf | ||
TND14SV621KTLBPAA0 | TND14SV621KTLBPAA0 nippon SMD or Through Hole | TND14SV621KTLBPAA0.pdf | ||
AU6254M41-JAS-GR | AU6254M41-JAS-GR ALCOR SSOP28 | AU6254M41-JAS-GR.pdf | ||
TMC3KJ-B2K2 | TMC3KJ-B2K2 NOBLE SMD or Through Hole | TMC3KJ-B2K2.pdf | ||
0805N822F160LC | 0805N822F160LC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805N822F160LC.pdf |