창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41458B7100M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41456,58 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41458 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 100000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 40V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 8.2m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 19A @ 100Hz | |
임피던스 | 7m옴 | |
리드 간격 | 1.122"(28.50mm) | |
크기/치수 | 2.532" Dia(64.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | B41458B7100M 3 B41458B7100M003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41458B7100M3 | |
관련 링크 | B41458B, B41458B7100M3 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | ECS-.600-12.5-13 | 60kHz ±30ppm 수정 12.5pF -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | ECS-.600-12.5-13.pdf | |
![]() | 416F50022IKT | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50022IKT.pdf | |
![]() | KTR18EZPF2004 | RES SMD 2M OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF2004.pdf | |
![]() | CRCW0201412RFNED | RES SMD 412 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201412RFNED.pdf | |
![]() | FLL57MK | FLL57MK FUJITSU TO-64 | FLL57MK.pdf | |
![]() | 61083144400LF | 61083144400LF FCI SMD or Through Hole | 61083144400LF.pdf | |
![]() | DMS2220LFDB | DMS2220LFDB DIODES SMD or Through Hole | DMS2220LFDB.pdf | |
![]() | 8EW10S | 8EW10S IR SMD or Through Hole | 8EW10S.pdf | |
![]() | TNY268N | TNY268N POWER DIP | TNY268N.pdf | |
![]() | CIM10J121 | CIM10J121 Samsung SMD | CIM10J121.pdf |