창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41458B5470M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41456,58 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41458 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 470000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 4m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 31A @ 100Hz | |
임피던스 | 4.8m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.728"(221.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | B41458B5470M 3 B41458B5470M003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41458B5470M3 | |
관련 링크 | B41458B, B41458B5470M3 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | DMP2066UFDE-7 | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | DMP2066UFDE-7.pdf | |
![]() | CRCW120638R3FKEA | RES SMD 38.3 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120638R3FKEA.pdf | |
![]() | CRT1206-DW-1000ELF | RES SMD 100 OHM 0.5% 1/4W 1206 | CRT1206-DW-1000ELF.pdf | |
![]() | R5J68R | RES 68 OHM 5W 5% RADIAL | R5J68R.pdf | |
![]() | PN2222A,126 | PN2222A,126 NXP SMD or Through Hole | PN2222A,126.pdf | |
![]() | 12.7*6.8 | 12.7*6.8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12.7*6.8.pdf | |
![]() | SML-S1LBC4T106 | SML-S1LBC4T106 ROHM SMD or Through Hole | SML-S1LBC4T106.pdf | |
![]() | S8233 | S8233 SEIKO TSSOP | S8233.pdf | |
![]() | MRF6S27015N | MRF6S27015N FSL SMD or Through Hole | MRF6S27015N.pdf | |
![]() | SAD-C508-4EM | SAD-C508-4EM NF MP64 | SAD-C508-4EM.pdf | |
![]() | TPS60213DGSRG4 | TPS60213DGSRG4 TI MSOP-10 | TPS60213DGSRG4.pdf | |
![]() | DP212DP-01/R8200-14 | DP212DP-01/R8200-14 ROCKWELL DIP40 | DP212DP-01/R8200-14.pdf |