창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41458B5330M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41456,58 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41458 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 330000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 6.4m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 25A @ 100Hz | |
임피던스 | 5.1m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.677"(144.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 32 | |
다른 이름 | B41458B5330M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41458B5330M | |
관련 링크 | B41458B, B41458B5330M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 0262.031V | FUSE BRD MNT 31MA 125VAC/VDC RAD | 0262.031V.pdf | |
![]() | 416F44011AKT | 44MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44011AKT.pdf | |
![]() | BZX85C24-TAP | DIODE ZENER 24V 1.3W DO41 | BZX85C24-TAP.pdf | |
![]() | 833-99-008-30-001101 | 833-99-008-30-001101 PRECI-DIP SMD or Through Hole | 833-99-008-30-001101.pdf | |
![]() | 7015662-101/5341-018 | 7015662-101/5341-018 AMIS PLCC-52P | 7015662-101/5341-018.pdf | |
![]() | 48LCC-UV | 48LCC-UV AMKOR CLCC | 48LCC-UV.pdf | |
![]() | F0805B0R25FSTR | F0805B0R25FSTR AVX SMD or Through Hole | F0805B0R25FSTR.pdf | |
![]() | CSI93C66AS | CSI93C66AS CSI SOP-8 | CSI93C66AS.pdf | |
![]() | XBAR8 1.3 | XBAR8 1.3 MYRICCM QFP | XBAR8 1.3.pdf | |
![]() | K4F640411D-TL60 | K4F640411D-TL60 SAMSUNG TSOP50 | K4F640411D-TL60.pdf | |
![]() | JHW050FG | JHW050FG TYCO SMD or Through Hole | JHW050FG.pdf | |
![]() | RJ23S3BC0FT | RJ23S3BC0FT SHARP DIP16 | RJ23S3BC0FT.pdf |