창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41456B5479M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41456,58 Series | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41456 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 47000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 15m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | - | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 12A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 12m옴 | |
| 리드 간격 | 0.500"(12.70mm) | |
| 크기/치수 | 1.406" Dia(35.70mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 36 | |
| 다른 이름 | 495-6331 B41456B5479M-ND B41456B5479M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41456B5479M | |
| 관련 링크 | B41456B, B41456B5479M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | KLKD005.HXR | FUSE CRTRDGE 5A 600VAC/DC NONSTD | KLKD005.HXR.pdf | |
![]() | RE1206DRE0738K3L | RES SMD 38.3K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0738K3L.pdf | |
![]() | CRCW1218470RFKTK | RES SMD 470 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218470RFKTK.pdf | |
![]() | Y0785588R000A0L | RES 588 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0785588R000A0L.pdf | |
![]() | 33uf 4V S | 33uf 4V S avetron SMD or Through Hole | 33uf 4V S.pdf | |
![]() | MR814 | MR814 ON DO-41 | MR814.pdf | |
![]() | AM8224DM | AM8224DM ORIGINAL DIP16 | AM8224DM.pdf | |
![]() | JM38510/00502BCA | JM38510/00502BCA TI CERDIP | JM38510/00502BCA.pdf | |
![]() | P80C592FAA | P80C592FAA PHI PLCC | P80C592FAA.pdf | |
![]() | K6T1008CZE--GB70 | K6T1008CZE--GB70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T1008CZE--GB70.pdf | |
![]() | XC4052XL-1BG352C | XC4052XL-1BG352C XILINX BGA | XC4052XL-1BG352C.pdf | |
![]() | R0K438099S000BE | R0K438099S000BE Renesas EVALBOARD | R0K438099S000BE.pdf |