창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41042A6158M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41042 Series | |
| PCN 단종/ EOL | B4 Series 22/Feb/2013 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41042 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 2.411A @ 100kHz | |
| 임피던스 | 65m옴 | |
| 리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | B41042A6158M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41042A6158M | |
| 관련 링크 | B41042A, B41042A6158M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | CL21A106KPFNNNE | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21A106KPFNNNE.pdf | |
![]() | AQ147M270GAJME\250 | 27pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M270GAJME\250.pdf | |
![]() | HWS30-15/ME | AC/DC CONVERTER 15V 30W | HWS30-15/ME.pdf | |
![]() | HM66A-0732220MLF13 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 960mA 132 mOhm Max Nonstandard | HM66A-0732220MLF13.pdf | |
![]() | MCT06030D4700BP500 | RES SMD 470 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D4700BP500.pdf | |
![]() | PMB4720-V1.1 | PMB4720-V1.1 INFINEON QFP | PMB4720-V1.1.pdf | |
![]() | 23FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M) | 23FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M) JST SMD or Through Hole | 23FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M).pdf | |
![]() | 103PF K(CL05B103KA 25V) | 103PF K(CL05B103KA 25V) SAMSUNG SMD or Through Hole | 103PF K(CL05B103KA 25V).pdf | |
![]() | HA4600CH96 TEL:82766440 | HA4600CH96 TEL:82766440 INTERSIL SOT23-6 | HA4600CH96 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 24C02WP | 24C02WP ST SOP8 | 24C02WP .pdf | |
![]() | K9F5608R0B-JIB0 | K9F5608R0B-JIB0 SAMSUNG FBGA | K9F5608R0B-JIB0.pdf |