창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B32674F6105K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B32674-B32678 Series | |
| 주요제품 | Film Capacitors | |
| PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
| PCN 포장 | MKT, MKP Type Laser Marking 26/Apr/2013 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B32674 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전압 - AC | - | |
| 정격 전압 - DC | 800V | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | - | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 종단 | PC 핀 | |
| 리드 간격 | 1.083"(27.50mm) | |
| 응용 제품 | DC 링크, DC 필터링 | |
| 특징 | 긴 수명 | |
| 표준 포장 | 1,280 | |
| 다른 이름 | B32674F6105K000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B32674F6105K | |
| 관련 링크 | B32674F, B32674F6105K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | CGB3B3X6S1A105K055AB | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGB3B3X6S1A105K055AB.pdf | |
![]() | 04025A221JAJ2A | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A221JAJ2A.pdf | |
![]() | CDV30FJ362JO3F | MICA | CDV30FJ362JO3F.pdf | |
![]() | ASTMHTE-14.7456MHZ-AR-E-T | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-14.7456MHZ-AR-E-T.pdf | |
![]() | CRA04S0435K10JTD | RES ARRAY 2 RES 5.1K OHM 0404 | CRA04S0435K10JTD.pdf | |
![]() | 1N6117AUSJANTX | 1N6117AUSJANTX Microsemi NA | 1N6117AUSJANTX.pdf | |
![]() | PSB2160PV2.2. | PSB2160PV2.2. Siemens DIP24 | PSB2160PV2.2..pdf | |
![]() | W172DIP-5 | W172DIP-5 MAGNECRA DIP-8 | W172DIP-5.pdf | |
![]() | 97A5 | 97A5 ON TO-92 | 97A5.pdf | |
![]() | BT138-800ETO-220 | BT138-800ETO-220 NXP SMD or Through Hole | BT138-800ETO-220.pdf | |
![]() | LTD200QC-F06 | LTD200QC-F06 SAM SMD or Through Hole | LTD200QC-F06.pdf | |
![]() | PE-5762NL | PE-5762NL PULSE DIP | PE-5762NL.pdf |