창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B32022A3103K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B32021-26 Series | |
제품 교육 모듈 | Automotive Industry Capacitors | |
주요제품 | Film Capacitors | |
PCN 포장 | MKT, MKP Type Laser Marking 26/Apr/2013 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B32022 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 10000pF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 300V | |
정격 전압 - DC | 1500V(1.5kV) | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 110°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.709" L x 0.197" W(18.00mm x 5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.413"(10.50mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 0.591"(15.00mm) | |
응용 제품 | EMI, RFI 억제 | |
특징 | Y2 안전 등급 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 495-5039 B32022A3103K-ND B32022A3103K000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B32022A3103K | |
관련 링크 | B32022A, B32022A3103K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | ECA-2VHG4R7 | 4.7µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ECA-2VHG4R7.pdf | |
![]() | CC0603KRX7R8BB152 | 1500pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603KRX7R8BB152.pdf | |
![]() | 402F307XXCDR | 30.72MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F307XXCDR.pdf | |
![]() | SIT8008BC-13-33S-13.560000D | OSC XO 3.3V 13.56MHZ | SIT8008BC-13-33S-13.560000D.pdf | |
![]() | 39S681C | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 19.5A 1.9 mOhm Max Nonstandard | 39S681C.pdf | |
![]() | RV0805JR-076M8L | RES SMD 6.8M OHM 5% 1/8W 0805 | RV0805JR-076M8L.pdf | |
![]() | BR1004G | BR1004G RECTRON SMD or Through Hole | BR1004G.pdf | |
![]() | SI7844DP-T1-GE3 | SI7844DP-T1-GE3 VISHAY QFN8 | SI7844DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | 1600V392 (3900PF) | 1600V392 (3900PF) H SMD or Through Hole | 1600V392 (3900PF).pdf | |
![]() | HA86 | HA86 TI TSSOP-16 | HA86.pdf | |
![]() | 01L5015 | 01L5015 IBM BGA | 01L5015.pdf | |
![]() | MAX1643CUA | MAX1643CUA MAXIM MSOP8 | MAX1643CUA.pdf |