창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B25834D2685K4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B25834 | |
| PCN 단종/ EOL | B25yyy Series 14/Aug/2014 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B25834 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 6.8µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전압 - AC | 2100V(2.1kV) | |
| 정격 전압 - DC | - | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 크기/치수 | 3.118" Dia(79.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 9.764"(248.00mm) | |
| 종단 | 스크루 단자 | |
| 리드 간격 | 1.378"(35.00mm) | |
| 응용 제품 | 정류, 댐핑 | |
| 특징 | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | B25834D2685K4 B25834D2685K004 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B25834D2685K4 | |
| 관련 링크 | B25834D, B25834D2685K4 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
| AOTF7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A TO220F | AOTF7N60.pdf | ||
![]() | AD5745AJN | AD5745AJN AD DIP | AD5745AJN.pdf | |
![]() | FU-319SPP-6M20 | FU-319SPP-6M20 MITSUBISHI SMD or Through Hole | FU-319SPP-6M20.pdf | |
![]() | BLM31AG600SN1L | BLM31AG600SN1L ORIGINAL SMD or Through Hole | BLM31AG600SN1L.pdf | |
![]() | ESHS-L090SF | ESHS-L090SF HITACHI QFN | ESHS-L090SF.pdf | |
![]() | D4062 | D4062 NEC SOP8 | D4062.pdf | |
![]() | MB88514B/1075NRP-053 | MB88514B/1075NRP-053 FUJ DIP64P | MB88514B/1075NRP-053.pdf | |
![]() | IPI024N06N3 G | IPI024N06N3 G INFINEO TO-262 | IPI024N06N3 G.pdf | |
![]() | SMBJ2K3.0-E3 | SMBJ2K3.0-E3 Microsemi DO-214AA | SMBJ2K3.0-E3.pdf | |
![]() | MUN5312 | MUN5312 ON SOT363 | MUN5312.pdf | |
![]() | BQ29200DBR | BQ29200DBR TI SMD or Through Hole | BQ29200DBR.pdf | |
![]() | 15332141 | 15332141 DELPPHI SMD or Through Hole | 15332141.pdf |