창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AZ75232GSTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | AZ75232GSTR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SSOP-20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | AZ75232GSTR | |
| 관련 링크 | AZ7523, AZ75232GSTR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1033BC1-026.0000T | 26MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1033BC1-026.0000T.pdf | |
![]() | 1008-180K | 18nH Unshielded Inductor 1.32A 70 mOhm Max Nonstandard | 1008-180K.pdf | |
![]() | RNCF2512DTE4R70 | RES SMD 4.7 OHM 0.5% 1W 2512 | RNCF2512DTE4R70.pdf | |
![]() | 40.52.6.110 | 40.52.6.110 ORIGINAL DIP-SOP | 40.52.6.110.pdf | |
![]() | GTD1N120BNS | GTD1N120BNS ORIGINAL SMD or Through Hole | GTD1N120BNS.pdf | |
![]() | 1/2W 56V | 1/2W 56V ST LL-34 | 1/2W 56V.pdf | |
![]() | KT21P-DCV28B19.200MT | KT21P-DCV28B19.200MT KYOCERA QFN | KT21P-DCV28B19.200MT.pdf | |
![]() | C1812X222K202T | C1812X222K202T HEC SMD or Through Hole | C1812X222K202T.pdf | |
![]() | BB(BAB)1000-4AA250(**) | BB(BAB)1000-4AA250(**) ORIGINAL SMD or Through Hole | BB(BAB)1000-4AA250(**).pdf | |
![]() | CST12.0MTW | CST12.0MTW MURATA DIP | CST12.0MTW.pdf | |
![]() | AXK680345YG | AXK680345YG NAiS SMD or Through Hole | AXK680345YG.pdf | |
![]() | K9WAG08U1APCKO | K9WAG08U1APCKO SAMSUNGGPS TSSOP | K9WAG08U1APCKO.pdf |