창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AZ23C51-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AZ23C2V7 - AZ23C51 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | AZ23C51DITR AZ23C51TR AZ23C51TR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AZ23C51-7 | |
관련 링크 | AZ23C, AZ23C51-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | S-8261ABJMD-G3JT2G G3J | S-8261ABJMD-G3JT2G G3J SEIKO SOT23-6 | S-8261ABJMD-G3JT2G G3J.pdf | |
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![]() | HB3B-444FY | HB3B-444FY HUEYJANNELECTRON SMD or Through Hole | HB3B-444FY.pdf | |
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![]() | MF01WF82R1%1KT/B | MF01WF82R1%1KT/B ORIGINAL SMD or Through Hole | MF01WF82R1%1KT/B.pdf | |
![]() | MIC93LC46BT-1/NS | MIC93LC46BT-1/NS MICROCHIP SOP3.9MM | MIC93LC46BT-1/NS.pdf |