창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AZ23C3V9-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AZ23C2V7 - AZ23C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | AZ23C3V9-FDITR AZ23C3V97F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AZ23C3V9-7-F | |
관련 링크 | AZ23C3V, AZ23C3V9-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
NGTG30N60FLWG | IGBT 600V 60A 250W TO247 | NGTG30N60FLWG.pdf | ||
MBRB2045CTTRLM | MBRB2045CTTRLM IR TO-263 | MBRB2045CTTRLM.pdf | ||
SN74LV573ANS | SN74LV573ANS ti SOP5.2 | SN74LV573ANS.pdf | ||
TA8507P | TA8507P TOSHIBA DIP | TA8507P.pdf | ||
74LS253B1 | 74LS253B1 ST DIP-16 | 74LS253B1.pdf | ||
CHO4T1004 | CHO4T1004 ChangHong DIP | CHO4T1004.pdf | ||
1206 560K F | 1206 560K F TASUND SMD or Through Hole | 1206 560K F.pdf | ||
SR215C103KAATR | SR215C103KAATR AVX SMD | SR215C103KAATR.pdf | ||
CYIL1SM0300AA-QWC | CYIL1SM0300AA-QWC Cypress SMD or Through Hole | CYIL1SM0300AA-QWC.pdf | ||
PHV12-350S 10P | PHV12-350S 10P TRACOPOWER SMD or Through Hole | PHV12-350S 10P.pdf | ||
9829MRY | 9829MRY ORIGINAL TSSOP-14 | 9829MRY.pdf | ||
LA4-50V682MS52 | LA4-50V682MS52 ELNA DIP | LA4-50V682MS52.pdf |