창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AZ23C3V6-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AZ23C2V7 - AZ23C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | AZ23C3V6-FDITR AZ23C3V67F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AZ23C3V6-7-F | |
관련 링크 | AZ23C3V, AZ23C3V6-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
WSLT2512R1300FEB | RES SMD 0.13 OHM 1% 1W 2512 | WSLT2512R1300FEB.pdf | ||
RT0603CRC076K98L | RES SMD 6.98K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC076K98L.pdf | ||
YC324-FK-0734R8L | RES ARRAY 4 RES 34.8 OHM 2012 | YC324-FK-0734R8L.pdf | ||
CX-424-P-C05 | SENSOR PHOTO 100MM 12-24VDC PNP | CX-424-P-C05.pdf | ||
Fil-Mag23Z469 | Fil-Mag23Z469 Fil-Mag SMD | Fil-Mag23Z469.pdf | ||
UF105S | UF105S PANJIT A-405 | UF105S.pdf | ||
RF-WNMB31BD-GT2 | RF-WNMB31BD-GT2 refond SMD or Through Hole | RF-WNMB31BD-GT2.pdf | ||
SSG35C80Y7A | SSG35C80Y7A san-rex SMD or Through Hole | SSG35C80Y7A.pdf | ||
LX901PC | LX901PC lxt PLCC | LX901PC.pdf | ||
SI5330F-A00216-GM | SI5330F-A00216-GM SILICONLA QFN24 | SI5330F-A00216-GM.pdf | ||
74LV32NSR | 74LV32NSR TI SOP | 74LV32NSR.pdf |