창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AZ23C30-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AZ23C2V7 - AZ23C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | AZ23C30-FDITR AZ23C307F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AZ23C30-7-F | |
관련 링크 | AZ23C3, AZ23C30-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 416F320X3ADR | 32MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X3ADR.pdf | |
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4607X-101-101LF | RES ARRAY 6 RES 100 OHM 7SIP | 4607X-101-101LF.pdf | ||
![]() | QTLP610CPDTR | PHOTOTRANSISTOR NPN RA MINI SMD | QTLP610CPDTR.pdf | |
![]() | PS2501-1LD | PS2501-1LD NEC DIP-4 | PS2501-1LD.pdf | |
![]() | ICS844004AK-104LFT | ICS844004AK-104LFT IDT 32 VFQFN (LEAD-FREE) | ICS844004AK-104LFT.pdf | |
![]() | 2012-301F | 2012-301F ORIGINAL O805 | 2012-301F.pdf | |
![]() | A6812 | A6812 ALLEGRO PLCC | A6812.pdf | |
![]() | SN74CBTLV3126RGYR | SN74CBTLV3126RGYR TI QFN | SN74CBTLV3126RGYR.pdf | |
![]() | NMP70495 | NMP70495 ORIGINAL BGA-80D | NMP70495.pdf | |
![]() | RJJ-25V182MJ6EG | RJJ-25V182MJ6EG ELNA DIP | RJJ-25V182MJ6EG.pdf |