창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AVR-M1005C080MTAAB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AVR Series Datasheet | |
| 카탈로그 페이지 | 2360 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | AVR-M | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 6.4V | |
| 배리스터 전압(통상) | 8V | |
| 배리스터 전압(최대) | 9.6V | |
| 전류 - 서지 | 25A | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | - | |
| 최대 DC 전압 | 5.5VDC | |
| 에너지 | 0.04J | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 445-2532-2 AVRM1005C080MTAAB AVRM1005C080MTAAB-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AVR-M1005C080MTAAB | |
| 관련 링크 | AVR-M1005C, AVR-M1005C080MTAAB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C1206X684K4RAC7800 | 0.68µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X684K4RAC7800.pdf | |
![]() | SIT8208AC-81-25E-19.53125T | OSC XO 2.5V 19.53125MHZ OE | SIT8208AC-81-25E-19.53125T.pdf | |
![]() | ADA4857-2YCPZ-R7 | ADA4857-2YCPZ-R7 AD SOIC | ADA4857-2YCPZ-R7.pdf | |
![]() | ISB-A30-0-TBM-E | ISB-A30-0-TBM-E ISSI SMD or Through Hole | ISB-A30-0-TBM-E.pdf | |
![]() | TDA8004T/C1+118 | TDA8004T/C1+118 PHILIPS SMD | TDA8004T/C1+118.pdf | |
![]() | REG103U-4 | REG103U-4 BB SOP8 | REG103U-4.pdf | |
![]() | BUT11APX,127 | BUT11APX,127 NXP SMD or Through Hole | BUT11APX,127.pdf | |
![]() | 28F128J3A | 28F128J3A INTEL BGA | 28F128J3A.pdf | |
![]() | TESVB1A106M12R(10V10UF) | TESVB1A106M12R(10V10UF) NEC B | TESVB1A106M12R(10V10UF).pdf | |
![]() | V10E420 | V10E420 LITTELFUSE DIP | V10E420.pdf | |
![]() | MM3Z68VT1 | MM3Z68VT1 ON SMD or Through Hole | MM3Z68VT1.pdf |