창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRLZ24NSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRLZ24NS,NL | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001516890 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRLZ24NSTRL | |
관련 링크 | AUIRLZ2, AUIRLZ24NSTRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | IVS1-5R0-3R0-60-A | IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IVS1-5R0-3R0-60-A.pdf | |
![]() | CRGH2010J5R6 | RES SMD 5.6 OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J5R6.pdf | |
![]() | Y0942200R000B9L | RES 200 OHM 2W .1% RADIAL | Y0942200R000B9L.pdf | |
![]() | HSCSHHN060PDAA5 | Pressure Sensor ±60 PSI (±413.69 kPa) Differential Male - 0.16" (3.94mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSHHN060PDAA5.pdf | |
![]() | MN102L59DWJ | MN102L59DWJ Panasonic QFP | MN102L59DWJ.pdf | |
![]() | 3077EEN | 3077EEN SIPEX SOP8 | 3077EEN.pdf | |
![]() | ERX3HZJxxxH | ERX3HZJxxxH Panasonic SMD or Through Hole | ERX3HZJxxxH.pdf | |
![]() | 75115 | 75115 TI DIP | 75115.pdf | |
![]() | XC95108PQ160-20C | XC95108PQ160-20C XC QFP | XC95108PQ160-20C.pdf | |
![]() | NFB52623 | NFB52623 ORIGINAL QFN | NFB52623.pdf | |
![]() | KNF32025-W3 | KNF32025-W3 ORIGINAL SMD or Through Hole | KNF32025-W3.pdf | |
![]() | CS9708B | CS9708B CS DIP | CS9708B.pdf |