창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRL1404Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRL1404Z(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Gen10.2 Mosfet Qualification 12/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001516820 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRL1404Z | |
관련 링크 | AUIRL1, AUIRL1404Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | IDH09G65C5 | DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2 | IDH09G65C5.pdf | |
![]() | LH28F008SAR-L85 | LH28F008SAR-L85 SHARP SMD | LH28F008SAR-L85.pdf | |
![]() | 74AS941 | 74AS941 NSC DIP | 74AS941.pdf | |
![]() | 7141A | 7141A E SIP3 | 7141A.pdf | |
![]() | F08A60A | F08A60A MOSPEC TO-220-2 | F08A60A.pdf | |
![]() | LF442 MWA | LF442 MWA NS Wafer | LF442 MWA.pdf | |
![]() | AD5165BUJZ100-R71 | AD5165BUJZ100-R71 AD SOT23-8 | AD5165BUJZ100-R71.pdf | |
![]() | HFBR5905E | HFBR5905E AGILENT SMD or Through Hole | HFBR5905E.pdf | |
![]() | H16110DF-R | H16110DF-R FPE DIP-16 | H16110DF-R.pdf | |
![]() | 13SR-3S | 13SR-3S JST SMD or Through Hole | 13SR-3S.pdf | |
![]() | 2509306J01 | 2509306J01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2509306J01.pdf | |
![]() | BD9896 | BD9896 ROHM DIPSOP | BD9896.pdf |