창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRGS30B60K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRGS(L)30B60K | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 78A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 30A | |
전력 - 최대 | 370W | |
스위칭 에너지 | 350µJ(켜기), 825µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 102nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 46ns/185ns | |
테스트 조건 | 400V, 30A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001512468 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRGS30B60K | |
관련 링크 | AUIRGS3, AUIRGS30B60K 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ECS-49-20-7S-TR | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-49-20-7S-TR.pdf | |
![]() | TNPW20102K37BETF | RES SMD 2.37K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20102K37BETF.pdf | |
![]() | P51-1000-A-O-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-A-O-I36-20MA-000-000.pdf | |
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![]() | JQX-115F-T-024-1HS3B (555) | JQX-115F-T-024-1HS3B (555) ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-115F-T-024-1HS3B (555).pdf | |
![]() | 24LC21P-BCN | 24LC21P-BCN AT DIP | 24LC21P-BCN.pdf | |
![]() | 150uf 20V 10% E | 150uf 20V 10% E avetron SMD or Through Hole | 150uf 20V 10% E.pdf | |
![]() | MDD200-06IO1B | MDD200-06IO1B IXYS Call | MDD200-06IO1B.pdf | |
![]() | GP1S566VJ00F | GP1S566VJ00F SHARP SMD or Through Hole | GP1S566VJ00F.pdf |