창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFZ44ZSTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFZ44Z(S) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.9m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1420pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SP001519700 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFZ44ZSTRL | |
| 관련 링크 | AUIRFZ4, AUIRFZ44ZSTRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ECQ-P1H274GZ | 0.27µF Film Capacitor 50V Polypropylene (PP) Radial 0.787" L x 0.413" W (20.00mm x 10.50mm) | ECQ-P1H274GZ.pdf | |
| AON2410 | MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B | AON2410.pdf | ||
![]() | GRM219F11H104ZA01D | GRM219F11H104ZA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM219F11H104ZA01D.pdf | |
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![]() | 25MXR12000M25X40 | 25MXR12000M25X40 RUBYCON DIP | 25MXR12000M25X40.pdf | |
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![]() | CWTSAMPLE | CWTSAMPLE N/Y QFP128 | CWTSAMPLE.pdf | |
![]() | LM158J/883QS 5962-8771001PA | LM158J/883QS 5962-8771001PA NS CDIP-8 | LM158J/883QS 5962-8771001PA.pdf | |
![]() | OPA237PA | OPA237PA BB/TI DIP8 | OPA237PA.pdf | |
![]() | 708-125-2 | 708-125-2 ORIGINAL SMD | 708-125-2.pdf | |
![]() | QP690MFB-MIL | QP690MFB-MIL EVQPQPS SMD or Through Hole | QP690MFB-MIL.pdf | |
![]() | MC-7832 | MC-7832 RENESAS SMD or Through Hole | MC-7832.pdf |