창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFSL8405 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS(L)8405 | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | 40 V Automotive-Qualified COOLiRFET™ MOSFET | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 161nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5193pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 163W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | IRAUIRFSL8405 SP001522846 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFSL8405 | |
관련 링크 | AUIRFS, AUIRFSL8405 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ESMM451VSN181MR30W | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.842 Ohm 3000 Hrs @ 85°C | ESMM451VSN181MR30W.pdf | |
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![]() | CGA5H2X8R2A683M115AD | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5H2X8R2A683M115AD.pdf | |
![]() | 37313150000 | FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL | 37313150000.pdf | |
![]() | MMSZ5242B-G3-08 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD123 | MMSZ5242B-G3-08.pdf | |
![]() | WP92603L1 | WP92603L1 TI SOP | WP92603L1.pdf | |
![]() | SL100TX-SPE-5 | SL100TX-SPE-5 BOTHHAND SOPDIP | SL100TX-SPE-5.pdf | |
![]() | 3762A/2 | 3762A/2 INFINEON DIP22 | 3762A/2.pdf | |
![]() | D612A | D612A ORIGINAL SMD or Through Hole | D612A.pdf | |
![]() | PST591DMT | PST591DMT MIT SOP4 | PST591DMT.pdf | |
![]() | 93LC460C | 93LC460C ORIGINAL SMD or Through Hole | 93LC460C.pdf | |
![]() | LQP11A12NG00T1M0001 | LQP11A12NG00T1M0001 MURATA SMD or Through Hole | LQP11A12NG00T1M0001.pdf |