창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8409TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF(B,S,SL)8409 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 450nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IFAUIRFS8409TRL SP001521148 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFS8409TRL | |
| 관련 링크 | AUIRFS8, AUIRFS8409TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D270MLXAP | 27pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D270MLXAP.pdf | |
![]() | SIT8008AC-23-33E-33.333000D | OSC XO 3.3V 33.333MHZ OE | SIT8008AC-23-33E-33.333000D.pdf | |
![]() | H9TP18A8LDMC-NRKDM | H9TP18A8LDMC-NRKDM HY BGA | H9TP18A8LDMC-NRKDM.pdf | |
![]() | STK6032BQPG | STK6032BQPG SYNTEK QFP | STK6032BQPG.pdf | |
![]() | TB1017FN | TB1017FN TOS TSSOP | TB1017FN.pdf | |
![]() | 1812 NPO 332 J 102NT | 1812 NPO 332 J 102NT TASUND SMD or Through Hole | 1812 NPO 332 J 102NT.pdf | |
![]() | W3064D | W3064D PUL SMD or Through Hole | W3064D.pdf | |
![]() | AD581SH/883BQ | AD581SH/883BQ ADA SMD or Through Hole | AD581SH/883BQ.pdf | |
![]() | H11A617C3SD | H11A617C3SD FSC Call | H11A617C3SD.pdf | |
![]() | MC7812AE | MC7812AE FAIRCHILD TO-220 | MC7812AE.pdf | |
![]() | 2SD261Y | 2SD261Y mat 750ammo | 2SD261Y.pdf |