창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8409-7P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS8409-7P | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.75m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 460nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13975pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | IRAUIRFS8409-7P SP001522376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS8409-7P | |
관련 링크 | AUIRFS8, AUIRFS8409-7P 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C1812C431JZGACTU | 430pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C431JZGACTU.pdf | ||
445I35J30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 9pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35J30M00000.pdf | ||
RT2512FKE072K61L | RES SMD 2.61K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE072K61L.pdf | ||
P51-50-S-AF-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-S-AF-I12-20MA-000-000.pdf | ||
46ND005-P-16 | 46ND005-P-16 ORIGINAL SMD or Through Hole | 46ND005-P-16.pdf | ||
KR-11DE-24 | KR-11DE-24 TYCO null | KR-11DE-24.pdf | ||
DM320011 | DM320011 MICROCHIP Call | DM320011.pdf | ||
FA8131 | FA8131 FANUC SIP16 | FA8131.pdf | ||
SPX29500T-3.3 | SPX29500T-3.3 SPX TO-263 | SPX29500T-3.3.pdf | ||
S-80830CNY-B-G | S-80830CNY-B-G ORIGINAL SMD or Through Hole | S-80830CNY-B-G.pdf | ||
bq2933D | bq2933D TI TSSOP | bq2933D.pdf |