창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8408-7TRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS8408-7P | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 315nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 294W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IFAUIRFS8408-7TRL SP001522368 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS8408-7TRL | |
관련 링크 | AUIRFS840, AUIRFS8408-7TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 402F4001XIDT | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F4001XIDT.pdf | |
![]() | CW0051K000JS73 | RES 1K OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0051K000JS73.pdf | |
![]() | CD105 | CD105 CD-UH SMD or Through Hole | CD105.pdf | |
![]() | 54ALS245AJ/883 | 54ALS245AJ/883 NS CDIP | 54ALS245AJ/883.pdf | |
![]() | TES2N-0522 | TES2N-0522 TRACO SMD or Through Hole | TES2N-0522.pdf | |
![]() | 2019-03-20 | 43544 UTC SOT-23 | 2019-03-20.pdf | |
![]() | HI1-0539-8 | HI1-0539-8 INTEL CDIP-28 | HI1-0539-8.pdf | |
![]() | LTC1345CN | LTC1345CN LT DIP | LTC1345CN.pdf | |
![]() | 50YXF100M8X11.5 | 50YXF100M8X11.5 RUBYCON DIP | 50YXF100M8X11.5.pdf | |
![]() | XC3C100E-VQG100 | XC3C100E-VQG100 XILINX QFP | XC3C100E-VQG100.pdf | |
![]() | L302(1619) | L302(1619) N/A QFN | L302(1619).pdf |